A.顯影液的溫度 B.顯影液的濃度 C.顯影液的溶解度 D.顯影液的化學(xué)成分
A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蝕除去 C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層 E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成
A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分 B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng) C.烘烤的溫度一般在300℃左右 D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好