單項選擇題

由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進行刻蝕的濕法還來得差。

A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性

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單項選擇題

刻蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水

多項選擇題

在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。

A.MOS柵極
B.保護性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲器PROM
E.晶圓背面電鍍