單項(xiàng)選擇題

刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測(cè)量刻蝕過(guò)程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案

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多項(xiàng)選擇題

通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。

A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴(kuò)散區(qū)
E.源漏區(qū)

單項(xiàng)選擇題

（）是測(cè)量在刻蝕過(guò)程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。

A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時(shí)間