單項選擇題一般開關(guān)電源MOSFET管的漏、源極完全導通時的柵極電壓為（）V。
A、0
B、1
C、5
D、10
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1.單項選擇題MOSFET功率管的三個極分別為漏極、柵極和（）。
A、基極
B、源極
C、發(fā)射極
D、阻板
2.單項選擇題MOSFET管用于開關(guān)頻率在（）kHz以上的開關(guān)電源中。
A、50
B、80
C、100
D、150
3.單項選擇題開關(guān)電源按其所用開關(guān)器可分為IGBT開關(guān)電源、雙極型晶體管開關(guān)電源和（）開關(guān)電源。
A、MOSFET管
B、二極管
C、三極管
D、單結(jié)晶體管
4.單項選擇題開關(guān)電源的功率轉(zhuǎn)換效率為（）。
A、25%～45%
B、65%～95%
C、35%～80%
D、45%～65%
5.單項選擇題開關(guān)電源具備低差自主均流技術(shù)，因此各模塊開機輸出時的電流不平衡度小于（）。
A、15%
B、10%
C、8%
D、5%
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