CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。