強(qiáng)制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

光學(xué)高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。