單項(xiàng)選擇題晶面上出現(xiàn)的螺紋反映()
A.晶體生長(zhǎng)的溶液過飽和度較低
B.晶體生長(zhǎng)的溶液過飽和度較高
C.晶體生長(zhǎng)時(shí)溫度較高
D.晶體生長(zhǎng)環(huán)境不穩(wěn)定
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1.單項(xiàng)選擇題某晶體習(xí)性為柱狀,說明()
A.晶體結(jié)構(gòu)有鏈
B.生長(zhǎng)條件為低溫
C.晶體對(duì)稱為四方晶系
D.生長(zhǎng)條件為高壓
2.單項(xiàng)選擇題NaCl結(jié)構(gòu)中,Cl-做等大球最緊密堆積,Na充填在()
A.四面體空隙
B.八面體與六方柱空隙
C.八面體空隙
D.八面體與四面體空隙
3.多項(xiàng)選擇題等大球最緊密堆積原理適合描述()
A.離子晶格
B.金屬晶格
C.原子晶格
D.分子晶格
4.多項(xiàng)選擇題不同多型之間()
A.結(jié)構(gòu)相差很大
B.結(jié)構(gòu)單元層一樣
C.物理性質(zhì)相差很大
D.結(jié)構(gòu)相差不大
5.單項(xiàng)選擇題鮑林法則主要適合描述()
A.離子晶格
B.原子晶格
C.金屬晶格
D.分子晶格
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晶體結(jié)構(gòu)分析時(shí),Z數(shù)指的是()。
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