在電離真空計中，電子在飛行路途中產生的正離子數，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據離子電流的大小指示真空度。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。

溫度的高低不必用數字來說明，溫標是溫度的數值表示方法。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。

簡述真空蒸鍍的原理。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。