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單項(xiàng)選擇題關(guān)于Cache，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（）。

A.其內(nèi)容是RAM中部分存儲(chǔ)單元內(nèi)容的副本
B.一般采用動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀寫(xiě)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件（DRAM）
C.不能增加主存容量
D.有一級(jí)Cache、二級(jí)Cache、三級(jí)Cache之分

1.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于Cache的說(shuō)法正確的是（）。

A.Cache的內(nèi)容是硬盤中部分存儲(chǔ)單元內(nèi)容的副本
B.一般采用DRAM
C.目的是提高內(nèi)存讀寫(xiě)程序和數(shù)據(jù)的速度
D.為了解決CPU與主存之間速度不匹配而增加的高速緩存部件

2.單項(xiàng)選擇題為硬盤加上Cache的目的是（）。

A.增加硬盤容量
B.提高硬盤讀寫(xiě)信息的速度
C.實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)信息存儲(chǔ)
D.實(shí)現(xiàn)靜態(tài)信息存儲(chǔ)

3.單項(xiàng)選擇題CPU內(nèi)部的Cache需要很快的存儲(chǔ)速度，一般采用（）制造。

A.SRAM
B.DRAM
C.EEPROM
D.CMOS

4.單項(xiàng)選擇題以下計(jì)算機(jī)部件中，斷電后內(nèi)容不會(huì)丟失的是（）。

A.Cache
B.ROM
C.DRAM
D.SRAM

5.單項(xiàng)選擇題斷電后存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)丟失的存儲(chǔ)器是（）。

A.ROM
B.RAM
C.優(yōu)盤
D.硬盤