A.tgδ升高 B.絕緣電阻下降 C.局部放電量驟增
A.工頻電壓升高 B.操作過電壓 C.雷電過電壓 D.殘壓
A.比真實(shí)放電量大 B.與真實(shí)放電量無關(guān) C.比真實(shí)放電量小 D.與真實(shí)放電量相等