你可能感興趣的試題

填空題
機(jī)械磨損和封裝裂縫：主要由（）和（）等造成。
答案：封裝工藝缺陷；環(huán)境應(yīng)力過(guò)大
填空題
引線折斷：主要原因有（），（），（）和（）和（）等。
答案：線徑部??；引線強(qiáng)度不夠；熱點(diǎn)應(yīng)力；機(jī)械應(yīng)力過(guò)大；電蝕
填空題
電極短路：主要原因是（）、（）或（）等。
答案：電極金屬擴(kuò)散；金屬化工藝缺陷；外來(lái)異物
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】集成電路芯片故障模式主要有什么？
答案：
電極開(kāi)路或時(shí)通時(shí)斷、電極短路、引線折斷、機(jī)械磨損和封裝裂縫、電參數(shù)漂移、可焊接性差和無(wú)法工作等幾種。
名詞解釋
電參數(shù)退化
答案：電參數(shù)退化主要由于潮濕或電介質(zhì)老化與熱分解，電極材料的金屬離子遷移，表面污染，電極的電解腐蝕或化學(xué)腐蝕，雜質(zhì)或有害離子的...
名詞解釋
開(kāi)路
答案：開(kāi)路主要由于引線與電極接觸點(diǎn)氧化而造成低電平開(kāi)路，引線與電極接觸不良或絕緣不良，電解電容器陽(yáng)極引出金屬音腐蝕而導(dǎo)致開(kāi)路，...
名詞解釋
擊穿
答案：擊穿主要由于介質(zhì)中存在缺陷、雜質(zhì)，介質(zhì)老化，金屬離子遷移形成導(dǎo)電溝道或邊緣飛弧放電，介質(zhì)材料內(nèi)部氣隙擊穿或介質(zhì)電擊穿，介...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電容器件故障機(jī)理。
答案：電容器故障模式常見(jiàn)的有：擊穿、開(kāi)路、參數(shù)退化、電解液泄露和機(jī)械損傷等。電容器在工作應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力的綜合作用下工作，因而有...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電阻器件故障機(jī)理。
答案：電阻在電子設(shè)備中使用的數(shù)量很大，而且是一種發(fā)熱元器件，電氣設(shè)備故障中電阻器失效導(dǎo)致的占有一定的比例。
其故障原...
填空題
根據(jù)電器元件的類(lèi)型、使用環(huán)境和故障表現(xiàn)形式，電器元件的故障模式和機(jī)理通?？梢园凑针娖髟姆N類(lèi)來(lái)劃分類(lèi)別。常見(jiàn)電器有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）及（）等。
答案：電阻器；電容器；接插件；焊接件；線圈；集成電路芯片；電機(jī)；變壓器

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電參數(shù)漂移：主要原因是（）、（）等。

你可能感興趣的試題

機(jī)械磨損和封裝裂縫：主要由（）和（）等造成。

引線折斷：主要原因有（），（），（）和（）和（）等。

電極短路：主要原因是（）、（）或（）等。

【簡(jiǎn)答題】集成電路芯片故障模式主要有什么？

電參數(shù)退化

開(kāi)路

擊穿

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電容器件故障機(jī)理。

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電阻器件故障機(jī)理。

電參數(shù)漂移：主要原因是（）、（）等。

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機(jī)械磨損和封裝裂縫：主要由（）和（）等造成。

引線折斷：主要原因有（），（），（）和（）和（）等。

電極短路：主要原因是（）、（）或（）等。

【簡(jiǎn)答題】集成電路芯片故障模式主要有什么？

電參數(shù)退化

開(kāi)路

擊穿

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電容器件故障機(jī)理。

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電阻器件故障機(jī)理。

電參數(shù)漂移：主要原因是（）、（）等。

引線折斷：主要原因有（），（），（）和（）和（）等。

電極短路：主要原因是（）、（）或（）等。

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電容器件故障機(jī)理。

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述電阻器件故障機(jī)理。