單項(xiàng)選擇題在簡(jiǎn)單堿金屬硅酸鹽熔體R2O-SiO2中，正離子R+的含量對(duì)熔體的黏度頗具影響。當(dāng)R2O含量較高，即O/S比值較大時(shí)，降低黏度的次序?yàn)椋篕+>Na+>Li+，這是因?yàn)椋ǎ?/strong>
A.K2O引入的游離氧最多，則降低落黏度的作用最大
B.[SiO4]連接方式已接近島狀，四面體基本靠R-O鍵相連，R+半徑越大，R-O鍵力越弱
C.由于rLi+< rNa+< rK+，Li+極化能力最強(qiáng)
D.[SiO4]間的Si-O鍵是黏度的主要表征，R+半徑越大，對(duì)Si-O鍵的削弱能力越弱
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1.單項(xiàng)選擇題將高表面能的組分加入到低表面能的熔體組分中去，則前者在表面層的濃度將（）體積內(nèi)部的濃度。
A.高于
B.等于
C.低于
D.不能確定
2.單項(xiàng)選擇題低表面能的組分加入到高表面能的熔體組分中去，則前者在表面層的濃度將（）體積內(nèi)部的濃度。
A.高于
B.等于
C.低于
D.無(wú)法確定
5.問(wèn)答題分別寫出少量CdO摻雜到Bi2O3中和少量YF3摻雜到CaF2中可能的缺陷方程；并判斷方程的合理性；同時(shí)寫出每一個(gè)缺陷方程對(duì)應(yīng)的固溶體化學(xué)式。
最新試題
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