單項選擇題

關于反向飽和電流密度，以下說法中錯誤的是（）

A.p-n結兩邊摻雜濃度相差較大時，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側貢獻。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導體中的載流子壽命、擴散長度、導帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關。賦予他們恰當值可以得到較大的VOC。

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