A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長度、導(dǎo)帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
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C.1.5μs
D.20μs
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D.3.011m
A.光源輻照度為1000W/m
B.測試溫度為25℃
C.AM1.0地面太陽光譜輻照度分布
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A、11h
B、12h
C、11.95h
D、無法確定
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光伏控制器的功能不包括（）
（）的導(dǎo)帶和價帶重疊在一起，不存在禁帶，在一切條件下具有良好的導(dǎo)電性。
以下太陽能電池片的制造工序中，以減少光的反射為目的的工序是（）
光伏發(fā)電系統(tǒng)中能夠起到延長蓄電池組使用壽命的設(shè)備是（）
通常在建筑物之上建設(shè)（）
光伏系統(tǒng)在沒有任何外來能源的情況下負(fù)載仍能正常工作的天數(shù)稱為（）
以下光伏組件轉(zhuǎn)換效率最低的是（）。
太陽內(nèi)部最里層是（）。