單項選擇題關于多晶硅和非晶硅電池，以下說法錯誤的是（）

A.在擴散運動中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴散電流主要是由少子貢獻。
B.非晶硅對可見光譜的吸收很強，是晶硅的500倍，整個太陽光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結構成的，因此它們的基本結構是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導退化效應（S-W效應），但其光電轉化效率隨溫度升高下降較慢。


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1.單項選擇題非晶硅太陽能電池的基本構造是下列的哪種？（）

A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

2.單項選擇題單晶硅電池的制造工藝主要流程為（）

A.表面處理→制作絨面→擴散制結→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴散制結→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴散制結→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴散制結→制作電極

3.單項選擇題以下有關晶硅太陽能電池的溫度和光照特性說法錯誤的是（）

A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開路電壓下降，但光電轉換效率下降。
B.溫度對開路電壓的影響明顯大于對短路電流的影響。
C.光照強度對短路電流的影響明顯大于對開路電壓的影響。
D.與晶硅太陽能電池相比，GaAs太陽能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽能電池具有更好的溫度特性。

4.單項選擇題關于反向飽和電流密度，以下說法中錯誤的是（）

A.p-n結兩邊摻雜濃度相差較大時，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側貢獻。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導體中的載流子壽命、擴散長度、導帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關。賦予他們恰當值可以得到較大的VOC。

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