首頁
題庫
網(wǎng)課
在線模考
桌面端
登錄
搜標題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
填空題
晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種,其中酸性蝕刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸當緩沖劑,一般去除約10-20µm厚的表面層。
答案:
氫氟酸
點擊查看答案
在線練習
手機看題
你可能感興趣的試題
填空題
目前多晶硅原料的制備方法主要有三氯氫硅法(改良西門子法)和()兩種方法。
答案:
硅烷法
點擊查看答案
手機看題
填空題
對于晶體硅太陽能電池,環(huán)境對開路電壓和短路電流有一定影響,其中受溫度影響較大的是(),受太陽輻照度影響較大的是()
答案:
UOC;ISC
點擊查看答案
手機看題
微信掃碼免費搜題