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【簡答題】簡述非晶氫化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的優(yōu)點及其制備工藝。
答案:
(1)H原子對硅材料中的體缺陷和晶界起到鈍化作用,降低表面復合速度,進而提高VOC和ISC。
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(2)空間電荷區(qū)產(chǎn)生的電子-空穴對在內(nèi)建電場作...
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