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填空題
幾乎所有的III-v族化合物半導(dǎo)體都是()能帶結(jié)構(gòu),具有(),光吸收系數(shù)很大,對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池是有用的。
答案:
直接躍遷;極陡的吸收端
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填空題
化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池材料的重要特性參數(shù)有();()、數(shù)載流子移動(dòng)度i以及擴(kuò)散長(zhǎng)度L,特別是在太陽(yáng)能電池中,復(fù)合效果也是重要的參數(shù)。
答案:
多數(shù)載流子移動(dòng)度µ、電阻率P
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填空題
GaAs以及InP的禁帶寬度分別為();(),與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。
答案:
1.42ev、1.35ev
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