熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列是晶體的是（）。 

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

改良西門子法的顯著特點不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

PN結的基本特性是（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。