單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的泛霜試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的石灰爆裂試驗，一般燒結(jié)普通磚用（），燒結(jié)多孔磚用（），燒結(jié)空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的凍融試驗，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結(jié)磚凍3h，非燒結(jié)磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結(jié)磚不少于2h；非燒結(jié)磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中燒結(jié)普通磚用模具制樣法制成的試件連同模具在不低于（）的不通風室內(nèi)養(yǎng)護（）后脫模，再在相同條件下養(yǎng)護（），進行試驗。
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中燒結(jié)普通磚用普通制樣法制成的抹面試件應(yīng)置于不低于（）的不通風室內(nèi)養(yǎng)護（）。
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題