單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)抗壓強度試件制備一般用坐漿法，其漿面厚度一般為（）。
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
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1.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定尺寸測量的精度要求為（）。
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件制備好后，應(yīng)在環(huán)境溫度（），相對濕度（）的不通風(fēng)室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題