A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類(lèi)和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
C、不得同時(shí)摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時(shí)使用
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A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?；郀t礦渣粉
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級(jí)配
C、含泥量
D、表觀密度
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）