A、試樣筒裝樣搗實后,拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗結(jié)束,以免造成擾動
D、從計時開始后60min內(nèi),每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
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A、若三個試樣測值的極值中僅有一個與中間值之差超過中間值的10%,取中間值。
B、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的10%,本次試驗無效。
C、若三個試樣測值的極值中僅有一個與中間值之差超過中間值的15%,取中間值。
A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個試驗筒中,做三個試驗
B、采用振動臺振實時,振動應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗,整個貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時不能在試樣表面壓下痕印作為達到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時間以貫入阻力為3.5MPa時的時間
B、砼初凝時間以貫入阻力為0時的時間
C、砼終凝時間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時間
D、砼終凝時間以貫入阻力為28MPa時的時間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()