A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)快凍法來(lái)測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)慢凍法來(lái)測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過(guò)25%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
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A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過(guò)1%時(shí)，取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí)，取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí)，試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí)，取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
PN結(jié)的基本特性是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）