A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
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A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應高于凍融試驗試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()