A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時;
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時;
C、正常生產(chǎn)時,每半年進行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上,恢復(fù)生產(chǎn)時。
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列是晶體的是()。
硅片拋光在原理上不可分為()