單項選擇題集成有源濾波器的組成，一般由集成電路和（）

A、電感與電容
B、電容與電阻
C、電感與電阻
D、電容與變壓器


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1.單項選擇題提高放大器的輸入電阻和穩(wěn)定輸出電壓，則應(yīng)選用（）

A、電壓串聯(lián)負反饋
B、電壓并聯(lián)負反饋
C、電流串聯(lián)負反饋
D、電流并聯(lián)負反饋

2.單項選擇題集成運放的開環(huán)電壓增益非常高，這些參數(shù)接近理想化的程度。（）

A、輸入電阻很大，輸出電阻很小
B、輸入電阻輸出電阻均很大
C、輸入電阻很小，輸出電阻很大
D、輸入電阻輸出電阻均很小

3.單項選擇題場效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為兩大類，它們的類型和簡稱是（）

A、結(jié)型場效應(yīng)晶體管，簡稱JFET
B、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管，簡稱JFET
C、結(jié)型場效應(yīng)晶體管JGFET
D、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管JGFET

4.單項選擇題場效應(yīng)晶體管與晶體三極管比較，其突出優(yōu)點是（）

A.噪聲低、輸入阻抗低
B.熱穩(wěn)定性好、輸入阻抗低
C.噪聲低、輸入阻抗高
D.噪聲低、熱穩(wěn)定性差

5.單項選擇題絕緣柵場效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為（）

A、P溝道增強型效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管
B、增強型絕緣柵場效應(yīng)晶體管和耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管和P溝道絕緣柵型場效應(yīng)晶體管