多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。