CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。