摻雜后，退火的目的是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

CMP的設備構成包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。