芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后退火時間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。