摻雜后退火時間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）