影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。