刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。