光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

光生伏特效應(yīng)

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。