什么是MOS器件的體效應？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

集成電容主要有幾種結構？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？