編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。