MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？