集成電路電阻可以通過（）產生。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。