判斷題CVD是利用某種物理過(guò)程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。
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最新試題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}