MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。