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旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù),在0.35μm及以上器件的制造中常普遍應用于平坦化和填充縫隙。
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20世紀90年代初期使用的第一臺CMP設(shè)備是用樣片估計拋光時間來進行終點檢測的。
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CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導致淀積的金屬中存在隱藏區(qū),可能引起同一層金屬之間的斷路。
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