材料根據流經材電流的不同可分為三類（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

集成電路電阻可以通過（）產生。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。