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熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散,因為它會導(dǎo)致溝道長度的減小,影響器件的集成度和性能。
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硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活,并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴(大約3%~5%),大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置,沒有被電學(xué)激活。
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擴散運動是各向同性的。
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