判斷題

離子注入中靜電掃描的主要缺點(diǎn)是離子束不能垂直轟擊硅片，會導(dǎo)致光刻材料的陰影效應(yīng)，阻礙離子束的注入。

答案：正確

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離子注入會將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。

答案：正確

熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?dǎo)致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

答案：正確