MOS器件存在哪些二階效應？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。