說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。