編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？