MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？