問答題埋層芯片互聯(lián)-后布線技術(shù)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢?
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么?
題型:問答題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些?
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型:多項選擇題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題