根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？